形成的间隙型裂纹1.接触电阻-积分接触为容性阻抗(Z=1/(2*pi*f*C)，导致随着频率的增加，开始时的Res减小。SMD陶瓷电容器的ESL与SMD固体钽电容相似，也是ESL相对较小的SMD器件。但由于其内部引线结构，陶瓷芯片的ESL比钽电容小很多，可以用一个近似公式。ESL虽然和容量有关，但是变化比较小，基本不变。
形成的间隙型裂纹1.接触电阻-积分接触为容性阻抗(Z=1/(2*pi*f*C)，导致随着频率的增加，开始时的Res减小。
2.趋肤效应——由于内电极和端电极的趋肤效应，阻抗随着频率的增加而增加，最终抵消了接触电阻引起的ESR降低。
3.介质极化——随着介质中极化方向的增加，储存了大量的能量，说明阻抗随着频率的增加而增加。
SMD陶瓷电容器的ESL与SMD固体钽电容相似，也是ESL相对较小的SMD器件。但由于其内部引线结构，陶瓷芯片的ESL比钽电容小很多，可以用一个近似公式。
算算，比如说1206包，那么L≤12，W≤6。ESL虽然和容量有关，但是变化比较小，基本不变。
多层陶瓷电容器失效原因的内在因素；
陶瓷介质中产生孔隙的主要因素是陶瓷粉末中的有机或无机污染、烧结过程控制不当等。空隙的形成容易导致漏电，导致器件局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能，导致漏电增加，工艺循环恶化，导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸甚至烧毁。
