被覆氧化物与钛酸钡形成共晶相，沿开口和晶界迅速扩散到陶瓷中，在晶界形成一层薄的固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个绝缘体，表观介电常数为2× 104 ~ 8× 104。由这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器的陶瓷材料有两种:钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下具有立方钙钛矿结构。高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。
在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，适当添加金属氧化物(如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等。)涂覆在钛酸钡半导体陶瓷表面，在氧化条件下，在合适的温度下进行热处理。被覆氧化物与钛酸钡形成共晶相，沿开口和晶界迅速扩散到陶瓷中，在晶界形成一层薄的固溶体绝缘层。薄固溶体绝缘层的电阻率很高(可达1012-1013ω·cm)。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个绝缘体，表观介电常数为2× 104 ~ 8× 104。由这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器(BL电容器)。
高压陶瓷电容器的陶瓷材料有两种:钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压好等优点，但也有一些缺点，如电容变化率随着介质温度的升高而增大，绝缘电阻降低。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下具有立方钙钛矿结构。它是顺电的，没有自发极化。高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。
