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瓷介电容器的结构特点

文章出处:行业资讯 责任编辑:willer 发表时间:2021-09-28
  ​陶瓷电容器可分为低压小功率和高压大功率,低压小功率可分为ⅰ型和ⅱ型。ⅰ型(CC)因其体积小、损耗低、电容对频率和温度的稳定性高,常用于高频电路。CC1盘式高频陶瓷电容器适用于谐振电路等电路的温度补偿、耦合和隔离。陶瓷作为介质电容器的介质,是由各种原料按照不同的配方,经高温烧结而成。利用这一点,我们可以制造不同介电常数和温度系数的电容器,以满足不同的要求。

陶瓷电容器可分为低压小功率和高压大功率,低压小功率可分为ⅰ型(CC)和ⅱ型(CT)。ⅰ型(CC)因其体积小、损耗低、电容对频率和温度的稳定性高,常用于高频电路。ⅱ型(CT型)具有体积小、损耗大、电容对温度和频率稳定性差的特点,常用于低频电路。

CC1盘式高频陶瓷电容器适用于谐振电路等电路的温度补偿、耦合和隔离。损耗:0.025绝缘电阻:10000欧姆,测试电压:200伏。

允许偏差:5p (+-0.5p),6-10p (+-1p),10p (j,k,m),温度系数:-150-1000ppm/c,环境温度:-25-85c,相对湿度+40C可达96(百分比)。陶瓷电容器也称为陶瓷电容器。它是由陶瓷制成的电极,涂有金属膜(通常是银)并在高温下烧结。然后,将导线焊接到电极上,表面涂上保护漆或用环氧树脂和树脂封装。

陶瓷作为介质电容器的介质,是由各种原料按照不同的配方,经高温烧结而成。不同的陶瓷材料有不同的电性能。利用这一点,我们可以制造不同介电常数和温度系数的电容器,以满足不同的要求。