与陶瓷电容相比，片上钽电容具有电容和耐压痕迹。垂直电容和芯片电容的区别在于，无论是在插件还是芯片安装过程中，电容本身都是垂直于PCB的。制造商提供各种钽电容产品，这些产品针对各种特定功能进行了优化，并针对不同的应用和细分市场。降低等效串联电阻是钽电容器设计的重要研究领域之一。
小容量低频滤波电路用钽电容器。与陶瓷电容相比，片上钽电容具有电容和耐压痕迹。表面颜色通常是黄色和黑色。比如100-16表示容量为100μF，耐压为16 v，片上铝电解电容的容量大于片上钽电容，而片上钽电容在显卡中比较常见，容量为300 μ f ~ 150 μ f 0 μ f，片上钽电容主要满足低频电流的滤波稳压功能。垂直电容和芯片电容的区别在于，无论是在插件还是芯片安装过程中，电容本身都是垂直于PCB的。根本区别在于片式电容有黑色橡胶底座。
制造商提供各种钽电容产品，这些产品针对各种特定功能进行了优化，并针对不同的应用和细分市场。这些不同产品系列提供的优化包括更低的等效串联电阻、更小的尺寸、高可靠性(用于军事、汽车和医疗应用)、更小的DC漏电流、更低的等效串联电阻和更高的工作温度。本文主要研究两个方面:较低的电子自旋共振和较小的尺寸。
低等效串联电阻–这些器件针对低等效串联电阻进行了优化，可在脉冲或交流应用中提供更高的效率，并在噪声环境中提供更好的滤波性能。
尺寸更小-将高CV钽粉与高效封装相结合，这些器件以紧凑的尺寸为空间受限的应用提供高容量，例如智能手机、平板电脑和其他手持消费电子设备。
降低等效串联电阻是钽电容器设计的重要研究领域之一。钽粉的选择和阴极材料的涂覆工艺对电渣重熔有重要影响。然而，对于给定的额定值(电容、电压、尺寸)，这些因素主要是设计限制，在先进器件中已基本解决。降低ESR的两个主要因素是阴极材料被导电聚合物替代，引线框架材料由铁镍合金变为铜。
