由于电容器结构不同，差异很大。铝电解的ESR值一般在几百到几十毫欧之间，钽电容介于铝电解和陶瓷片式电容之间。与电容相关的参数很多，但设计中重要的参数是C和ESR。我们常用的电容器有三种:铝电解电容器、陶瓷电容器和钽电容器。因此，铝电解不应离热源太近。而性能较差的z5u/Y5V材料，介电常数高，电容值可达几十微米。然而，这种材料受到温度和DC偏差的严重影响。
由于电容器结构不同，差异很大。铝电解的ESR值一般在几百到几十毫欧之间，钽电容介于铝电解和陶瓷片式电容之间。与电容相关的参数很多，但设计中重要的参数是C和ESR。
我们常用的电容器有三种:铝电解电容器、陶瓷电容器和钽电容器。铝电容器是通过氧化铝箔浴，缠绕绝缘层，并将其浸入电解液中制成的。其原理是化学原理，充放电依赖于化学反应。电容器对信号的响应速度受到电解质中带电离子运动速度的限制。低频(1m)电渣重熔通常采用铝电阻和电解液等效电阻之和，数值较大。铝电容器的电解液会逐渐挥发，导致容量下降甚至失效，蒸发速度会随着温度的升高而加快。温度每上升10度，寿命就会减半。如果电容器在27℃的室温下使用10000小时，则只能在57℃下使用1250小时。因此，铝电解不应离热源太近。
陶瓷电容器通过物理反应储存电能，响应速度快，可应用于G场合。但是，由于介质不同，陶瓷电容器也表现出很大的差异。性能好的是温度系数小的c0g材料的电容，但材料的介电常数小，所以电容值不宜过大。而性能较差的z5u/Y5V材料，介电常数高，电容值可达几十微米。然而，这种材料受到温度和DC偏压的严重影响(DC电压会导致材料极化并降低电容)。
