第二种是高介电常数的X7R介质。由于X7R是强电介质，它可以使电容器比NPO电介质更大。随着温度、电压和时间的变化，其独特的性能没有明显变化。它是一种稳定的电容器材料。适用于高可靠性要求的隔离、耦合、旁路、滤波电路和中高频电路。这类电容器具有较高的介电常数，常用于生产比电容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性比X7R差，容量和损耗对温度、电压等测试条件更敏感。
第二种是高介电常数的X7R介质。由于X7R是强电介质，它可以使电容器比NPO电介质更大。这种电容器的性能相对稳定。随着温度、电压和时间的变化，其独特的性能没有明显变化。它是一种稳定的电容器材料。适用于高可靠性要求的隔离、耦合、旁路、滤波电路和中高频电路。
第三种是半导体Y5V电介质。这类电容器具有较高的介电常数，常用于生产比电容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性比X7R差，容量和损耗对温度、电压等测试条件更敏感。主要用于电子设备的振荡、耦合、滤波和光纤通道。
良好的温度和频率特性。一般来说，电容随着频率的增加而减小。整体电容略有下降，容量相对稳定。
陶瓷电容器是由高介电常数的电容器陶瓷(钛酸钡氧化物)挤压成管、盘或圆盘作为介质制成的。采用烧结渗透法在陶瓷表面镀银作为电极。分为高频和低频。在高稳定振荡电路中，正电容温度系数小的电容用作环路电容和焊盘电容。低频陶瓷电容仅限于低频电路中的旁路或DC隔离，或者稳定性和损耗要求不高的地方。
