半导体材料是具有半导体特性的电子材料，用于制备半导体器件。重要的传导机制是通过电子和空穴载流子实现的，因此有N型和P型。一般具有一定的带隙，其电学性质容易受到外界条件的影响。通过添加特定的杂质来制备不同的导电材料。杂质对材料的性能影响很大，大部分是结晶材料。半导体器件对材料的晶体完整性要求很高。
半导体材料是具有半导体特性的电子材料，用于制备半导体器件。重要的传导机制是通过电子和空穴载流子实现的，因此有N型和P型。半导体材料通常具有一定的带隙，其电学性质容易受到外界条件(如光和温度等)的影响。).通过添加特定的杂质来制备不同的导电材料。杂质(尤其是快扩散杂质和深层次杂质)对材料的性能影响很大。
因此，半导体材料要有高纯度，这不仅要求生产用原料纯度高，还要求超清洁的生产环境，尽量减少生产过程中的杂质污染。半导体材料多为晶体材料，半导体器件对材料的晶体完整性要求很高。此外，对材料的各种电参数的均匀性也有严格的要求。
半导体材料是一种室温下介于导电材料和绝缘材料之间的功能材料。它的导电性是由电子和空穴载流子实现的。室温下的电阻一般在10-5到107欧姆之间。一般来说，电阻随着温度的升高而增加。如果添加或辐射活性杂质，电阻会变化几个数量级。
此外，半导体材料的导电性对外界条件(如热、光、电、磁等因素)的变化非常敏感。根据这些条件，可以制造用于信息转换的各种敏感元件。
半导体材料的特征参数是带隙、电阻、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。带隙由半导体的电子态和原子构型决定，反映了构成材料的原子中价电子从束缚态激发到自驱动态所需的能量。电阻和载流子迁移率反映了材料的导电性。
非平衡载流子寿命反映了半导体材料在外部作用(如光或电场)下载流子从非平衡态向平衡态跃迁的弛豫特性。位错是晶体中常见的缺陷之一。位错密度用于测量半导体单晶材料的晶格完整性，但对于非晶半导体材料没有这样的参数。
半导体材料的特征参数不仅可以反映半导体材料与其他非半导体材料的差异，还可以反映不同半导体材料甚至同一种材料在不同条件下的特征差异。
