陶瓷介质微调电容器具有电荷大、体积小的特点，可分为圆管和圆片。云母和聚苯乙烯介质通常采用弹簧式，结构简单但稳定性差。缠绕陶瓷介质微调电容去掉铜线改变电容，只能减小电容，不适合反复调试的场合。银层通过真空蒸发或煅烧直接沉积在云母片上。由于气隙的消除，温度系数大大降低，电容的稳定性高于箔片。广泛用于高频电器，可作为标准电容器使用。
陶瓷介质微调电容器具有电荷大、体积小的特点，可分为圆管和圆片。云母和聚苯乙烯介质通常采用弹簧式，结构简单但稳定性差。缠绕陶瓷介质微调电容去掉铜线改变电容，只能减小电容，不适合反复调试的场合。
陶瓷电容器是以高介电常数电容器陶瓷(钛酸钡和氧化钛)为介质，挤压成管、盘或圆盘，以陶瓷上镀银为电极，分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质两种。在高稳定性振荡电路中，采用正电容温度系数小的电容作为回路电容和垫片电容。
低频陶瓷介质电容器仅限于低工作频率电路中的旁路或DC隔离，或者当稳定性和损耗要求不高(包括高频)时。这种电容器不适合脉冲电路，因为它们容易被脉冲电压破坏。
高频陶瓷介质电容器适用于高频电路的云母电容器。从结构上来说，可以分为箔和银。银层通过真空蒸发或煅烧直接沉积在云母片上。由于气隙的消除，温度系数大大降低，电容的稳定性高于箔片。频率特性好，电荷值高，温度系数小，容量大。广泛用于高频电器，可作为标准电容器使用。
