将高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡-氧化钛挤压成圆管、圆盘或圆盘作为介质，用烧结法在陶瓷上镀银作为电极。分为高频瓷介质和低频瓷介质两种。
在高稳定性振荡回路中使用具有小的正电容温度系数的电容器作为回路电容器和衬垫电容器。低频陶瓷电容器仅限于旁路或隔离低工作频率电路中的DC，或者不要求稳定性和损耗的电路。这种电容器不应用于脉冲电路，因为它们很容易被脉冲电压击穿。
圆形陶瓷电容器的封装形式通常是分压的。500VDC以下的低压产品CC1、CT1系列采用酚醛树脂封装，绝缘强度和防潮性较差，但成本较低。为了提高防潮性，这种封装的外层浸渍了一层薄薄的蜡。1 kV以下1KVDC系列交流电容器采用阻燃环氧树脂封装，绝缘强度和防潮性能优异。
除圆形陶瓷电容器外，还使用了轴向引线色环陶瓷电容器和片式陶瓷电容器。它们的内部结构是堆叠的，所以体积很小，但容量可以达到1μF以上，非常有利于组装。然而，由于其结构的限制，绝缘电阻和耐压不能做得很高，因此目前仅限于低压(50V以内)产品，其损耗和温度特性与片状电容器相同。
陶瓷电容器虽然有很多优点，但由于陶瓷材料机械强度低、易破损等缺点，限制了陶瓷晶片的几何尺寸，这是不同温度特性具有不同电容范围的主要原因。一般低压片状电容器允许直径d≤12mm，高压片状电容器允许直径d≤16mm。如果超过这个尺寸，生产加工难度和废品率会大大增加，陶瓷体上的微小裂纹会给电容器的可靠性带来很大隐患。由于不同厂家的材料开发和工艺制造水平不同，其外形尺寸标准也不同，所以其标称产能范围也部分不同。
