​陶瓷电容器可分为低压小功率和高压大功率，低压小功率可分为ⅰ型和ⅱ型。ⅰ型(CC)由于体积小、损耗低、电容对频率和温度的稳定性高，常用于高频电路。CC1盘式高频陶瓷电容器适用于谐振电路等电路的温度补偿、耦合和隔离。陶瓷材料作为介质电容器的介质，是由各种原料按照不同的配方高温烧结而成。利用这一点，我们可以制造不同介电常数和温度系数的电容器，以满足不同的要求。

​陶瓷介质电容器常用的陶瓷介质材料有三种:I型电容器陶瓷:其介电常数一般小于100，电性能稳定，随温度、电压、时间的变化基本不变。它是一种超稳定、低损耗的电容器介质材料，常用于高频、超高频、超高频场合，对稳定性和可靠性要求很高。由于电容器的介质材料是陶瓷，因此耐热性好，不易老化。陶瓷电容器具有耐酸、碱、盐腐蚀的能力，具有良好的耐腐蚀性。绝缘性能好，可制成高压电容器。电容小，机械强度低。

​顾名思义，陶瓷介质电容器是由陶瓷介质材料制成的电容器。根据陶瓷材料的不同，可分为容量为1~300 pF的低频陶瓷介质和容量为300~22000 pF的高频陶瓷介质。根据结构，它可以分为图像，管状，矩形，片状，穿孔电容器等。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但普通铁电陶瓷电容器很难使陶瓷介质变薄。首先，铁电陶瓷强度低，薄时容易断裂，难以进行实际生产操作。

​被覆氧化物与钛酸钡形成共晶相，沿开口和晶界迅速扩散到陶瓷中，在晶界形成一层薄的固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个绝缘体，表观介电常数为2× 104 ~ 8× 104。由这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器的陶瓷材料有两种:钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下具有立方钙钛矿结构。高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率...

​多层陶瓷电容器是一种应用广泛的片式元件。内部电极材料和陶瓷坯料交替平行堆叠，一起烧成一体，也叫片式单片电容器。它具有体积小、比容量高、精度高的特点。根据IT产业小型化、轻量化、高性能化、多功能化的发展方向，2010年《国家中长期目标纲要》明确提出，表面贴装元器件等新型元器件应是电子产业的发展重点。它不仅封装简单，密封性能好，还能有效隔离对向电极。